Un equipo surcoreano crea componentes de transistores sustituyendo átomos selectivamente
En breve
Investigadores del Instituto de Ciencias Básicas de Corea del Sur desarrollaron un método para formar componentes de transistores dentro de una fina película semiconductora sustituyendo átomos selectivamente. Los resultados se publicaron en Science, informaron medios coreanos el 16 de octubre.
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Investigadores del Instituto de Ciencias Básicas de Corea del Sur desarrollaron una forma de fabricar componentes de transistores dentro de una fina película semiconductora sustituyendo selectivamente sus átomos, según informaciones coreanas publicadas el 16 de octubre. El equipo de materiales cuánticos de van der Waals del instituto produjo el semiconductor, la capa aislante y la región de contacto sin apilar por separado distintos materiales. Los resultados aparecieron en Science. [ 1 , 2 , 3 ]
El método parte del diseleniuro de tungsteno, en el que capas de selenio rodean una capa de tungsteno. Los investigadores conservaron el tungsteno y sustituyeron selectivamente el selenio por oxígeno, azufre o telurio. Estas sustituciones produjeron, respectivamente, óxido de tungsteno aislante, disulfuro de tungsteno semiconductor y ditelururo de tungsteno semimetálico, informaron Asia Economy y Newsis. [ 2 , 3 ]
Los investigadores utilizaron pequeños espacios entre capas como barreras al movimiento de los átomos reactivos. Ajustando la temperatura de reacción y la presión del gas, controlaron la transformación en capas de unos 0,7 nanómetros de grosor. Según Asia Economy y Newsis, las máscaras de procesamiento de semiconductores permitieron seleccionar las zonas de la película que debían modificarse. [ 2 , 3 ]
Chosun Ilbo y Asia Economy informaron de que multiplicar por diez la corriente exigía cambiar la tensión de puerta en 61,3 milivoltios, cerca del mínimo teórico de unos 60 milivoltios para transistores convencionales a temperatura ambiente. La relación entre la corriente en los estados encendido y apagado superó los 10 millones. Asia Economy también informó de una barrera de 35,5 milielectronvoltios para el paso de carga desde los electrodos metálicos al semiconductor tras añadir la capa de contacto semimetálica. [ 1 , 2 ]
Asia Economy informó de que el equipo también apiló transistores de tipo p y n para demostrar un inversor complementario que funciona a 1 voltio. Chosun Ilbo dijo que los investigadores prevén ampliar la técnica al tamaño de una oblea semiconductora y estudiar su aplicación en circuitos integrados tridimensionales. Los informes describen el enfoque como una forma de reducir las dificultades de montaje de dispositivos semiconductores ultrafinos. [ 1 , 2 , 3 ]
Por qué importa
El método podría simplificar el montaje de transistores bidimensionales al crear distintas propiedades eléctricas dentro de una sola película. Los investigadores prevén ampliarlo al tamaño de una oblea y estudiar aplicaciones en circuitos apilados verticalmente.
Datos clave
- El método sustituye selectivamente átomos de selenio del diseleniuro de tungsteno, conservando el tungsteno. [ 2 , 3 ]
- El control de temperatura y presión permitió transformar capas de unos 0,7 nanómetros de grosor. [ 1 , 2 , 3 ]
- El cambio de tensión comunicado para multiplicar por diez la corriente fue de 61,3 milivoltios. [ 1 , 2 ]