Южнокорейская команда создала компоненты транзистора выборочной заменой атомов
Коротко
Исследователи южнокорейского Института фундаментальных наук разработали метод формирования компонентов транзистора в тонкой полупроводниковой плёнке путём выборочной замены атомов. Результаты опубликованы в Science, сообщили корейские издания 16 октября.
Читать полностью 1 мин чтения
Исследователи южнокорейского Института фундаментальных наук разработали способ создания компонентов транзистора в тонкой полупроводниковой плёнке путём выборочной замены атомов, говорится в корейских публикациях от 16 октября. Команда института по исследованию ван-дер-ваальсовых квантовых материалов получила полупроводник, изолирующий слой и контактную область без отдельного укладывания разных материалов. Результаты опубликованы в Science. [ 1 , 2 , 3 ]
Исходный материал — диселенид вольфрама, в котором слои селена окружают слой вольфрама. Исследователи сохранили вольфрам, выборочно заменив селен кислородом, серой или теллуром. По данным Asia Economy и Newsis, эти замены дали соответственно изолирующий оксид вольфрама, полупроводниковый дисульфид вольфрама и полуметаллический дителлурид вольфрама. [ 2 , 3 ]
Исследователи использовали небольшие промежутки между слоями как барьеры для перемещения реагирующих атомов. Регулируя температуру реакции и давление газа, они контролировали преобразование в слоях толщиной около 0,7 нанометра. По данным Asia Economy и Newsis, технологические маски позволяли выбирать участки плёнки для изменения. [ 2 , 3 ]
Chosun Ilbo и Asia Economy сообщили, что десятикратное изменение тока требовало изменения напряжения затвора на 61,3 милливольта, близкого к теоретическому минимуму около 60 милливольт для обычных транзисторов при комнатной температуре. Отношение токов во включённом и выключенном состояниях превышало 10 миллионов. Asia Economy также сообщило об энергетическом барьере в 35,5 миллиэлектронвольта для перехода заряда от металлических электродов в полупроводник после добавления полуметаллического контактного слоя. [ 1 , 2 ]
Asia Economy сообщило, что команда также разместила друг над другом транзисторы p- и n-типа, продемонстрировав комплементарный инвертор, работающий при 1 вольте. Chosun Ilbo сообщило, что исследователи планируют масштабировать технологию до размера полупроводниковой пластины и изучить её применение в трёхмерных интегральных схемах. Издания описывают подход как способ снизить трудности сборки сверхтонких полупроводниковых устройств. [ 1 , 2 , 3 ]
Почему это важно
Метод может упростить сборку двумерных транзисторов, создавая разные электрические свойства в одной плёнке. Исследователи планируют масштабировать его до размера пластины и изучить применение в вертикально сложенных схемах.
Ключевые факты
- Метод выборочно заменяет атомы селена в диселениде вольфрама, сохраняя вольфрам. [ 2 , 3 ]
- Контроль температуры и давления позволил проводить преобразование в слоях толщиной около 0,7 нанометра. [ 1 , 2 , 3 ]
- По сообщениям изданий, для десятикратного увеличения тока требовалось изменение напряжения на 61,3 милливольта. [ 1 , 2 ]