Samsung confirma el desarrollo de DRAM 4F² mientras CXMT prevé lanzar memoria para servidores a fin de año
En breve
Samsung dijo el 14 de octubre que desarrolla tecnología DRAM 4F², después de que la china CXMT anunciara planes para lanzar memoria para servidores con esa estructura antes de finalizar 2026. CXMT no ha divulgado especificaciones detalladas ni una fecha de lanzamiento, y observadores del sector señalan que su capacidad de producción masiva sigue siendo incierta.
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Samsung dijo el 14 de octubre que desarrolla tecnología DRAM 4F², mientras la china CXMT prepara un producto de memoria para servidores basado en la misma estructura de celda. Song Jae-hyeok (송재혁), responsable de tecnología de Samsung, hizo los comentarios durante una visita a SEDEX 2026 en COEX, Seúl. A la pregunta de si Samsung desarrollaba la tecnología, respondió afirmativamente y dijo que el trabajo avanzaba. [ 25 , 26 ]
CXMT dijo que planea presentar memoria DDR5 RDIMM para servidores con 4F² antes de finalizar 2026. Maeil Business y Kyunghyang Shinmun informaron de que el presidente de la empresa, Cao Kanyu (曹堪宇), anunció el plan en una conferencia del sector en Shanghái el 10 de octubre. AI Times fechó el anuncio el 9 de octubre. CXMT dijo que su transistor vertical de puerta envolvente, desarrollado de forma independiente, había permitido avanzar en la estructura y que había rediseñado etapas clave de fabricación. [ 2 , 3 , 22 ]
El diseño 4F² reduce el área que ocupa una celda de memoria en comparación con la estructura 6F² utilizada habitualmente en la DRAM comercial. Asia Economy informó de que el área de la celda podría reducirse alrededor de un 33%, permitiendo almacenar más datos en la misma superficie, aunque la mejora real de densidad depende del diseño del producto y de los procesos de fabricación. Yonhap informó de que CXMT describía su transistor vertical como una forma de reducir las corrientes de fuga y aumentar la densidad de memoria. [ 1 , 4 ]
Samsung, SK hynix y Micron han dominado la memoria para servidores, mientras CXMT se ha concentrado en la electrónica de consumo, informó Yonhap. Sin embargo, CXMT no ha divulgado especificaciones detalladas del producto, una fecha de lanzamiento ni la escala de producción masiva. Observadores del sector citados por Chosun Ilbo dijeron que la compatibilidad con procesadores y placas base, el rendimiento de fabricación y la fiabilidad siguen siendo retos. Seoul Economic Daily también citó a observadores que advirtieron que una generación tecnológica más reciente no implica necesariamente un mejor rendimiento de la memoria. [ 4 , 6 , 14 ]
Por qué importa
El anuncio sitúa a CXMT en la competencia por la memoria para servidores, un mercado liderado por Samsung, SK hynix y Micron. Observadores del sector coreano advierten que introducir una nueva estructura no demuestra una producción masiva fiable ni un rendimiento superior.
Datos clave
- CXMT planea lanzar memoria DDR5 RDIMM para servidores con una estructura 4F² antes de finalizar 2026. [ 2 , 3 , 4 ]
- Song Jae-hyeok (송재혁), responsable de tecnología de Samsung, dijo el 14 de octubre que Samsung desarrolla tecnología 4F². [ 25 , 26 ]
- La estructura 4F² reduce el área de la celda de memoria respecto del diseño 6F² ampliamente utilizado. [ 1 , 4 , 14 ]
- CXMT no ha divulgado especificaciones detalladas, una fecha de lanzamiento ni la escala de producción masiva. [ 14 ]
Confirmado por varias fuentes
Aún sin aclarar
- Si CXMT puede alcanzar una producción masiva estable y el rendimiento prometido. La empresa no ha divulgado especificaciones detalladas ni la escala de producción, y observadores del sector señalan que aún deben evaluarse el rendimiento de fabricación y la fiabilidad.
- El día exacto en que CXMT anunció su plan en Shanghái. Varios informes indican el 10 de octubre, mientras que AI Times señala el 9 de octubre.