Samsung подтверждает разработку DRAM 4F² на фоне планов CXMT выпустить серверную память к концу года
Коротко
Samsung сообщила 14 октября, что разрабатывает технологию DRAM 4F², после того как китайская CXMT объявила о планах выпустить серверную память с такой структурой до конца 2026 года. CXMT не раскрыла подробные характеристики или дату выпуска, и наблюдатели отрасли отмечают, что возможности массового производства остаются неопределёнными.
Читать полностью 1 мин чтения
Samsung сообщила 14 октября, что разрабатывает технологию DRAM 4F², тогда как китайская CXMT готовит серверную память на основе той же структуры ячейки. Технический директор Samsung Сон Джэхёк (송재혁) заявил об этом во время посещения SEDEX 2026 в выставочном центре COEX в Сеуле. На вопрос о разработке этой технологии компанией Samsung был дан утвердительный ответ с пояснением, что работа продолжается. [ 25 , 26 ]
CXMT сообщила о планах представить серверную память DDR5 RDIMM с использованием 4F² до конца 2026 года. Maeil Business и Kyunghyang Shinmun сообщили, что президент компании Цао Каньюй (曹堪宇) объявил о планах на отраслевой конференции в Шанхае 10 октября. AI Times датирует объявление 9 октября. CXMT заявила, что самостоятельно разработанный вертикальный транзистор с окружающим затвором обеспечил прогресс в создании этой структуры и что компания переработала ключевые этапы производства. [ 2 , 3 , 22 ]
Конструкция 4F² уменьшает площадь ячейки памяти по сравнению со структурой 6F², широко применяемой в коммерческой DRAM. Asia Economy сообщила, что площадь ячейки может уменьшиться примерно на 33%, позволяя хранить больше данных на той же площади, хотя фактическое увеличение плотности зависит от конструкции продукта и производственных процессов. Yonhap сообщило, что CXMT описывает свой вертикальный транзистор как способ уменьшения токов утечки и увеличения плотности памяти. [ 1 , 4 ]
На рынке серверной памяти доминировали Samsung, SK hynix и Micron, тогда как CXMT сосредоточивалась на потребительской электронике, сообщило Yonhap. Однако CXMT не раскрыла подробные характеристики продукта, дату выпуска или масштабы массового производства. Отраслевые наблюдатели, цитируемые Chosun Ilbo, назвали совместимость с процессорами и материнскими платами, выход годных изделий и надёжность нерешёнными задачами. Seoul Economic Daily также привела предостережения отраслевых наблюдателей о том, что более новое поколение технологии не обязательно означает более высокую производительность памяти. [ 4 , 6 , 14 ]
Почему это важно
Объявление выводит CXMT на рынок серверной памяти, где лидируют Samsung, SK hynix и Micron. Корейские отраслевые наблюдатели предупреждают, что внедрение новой структуры ещё не подтверждает надёжное массовое производство или превосходство в производительности.
Ключевые факты
- CXMT планирует выпустить серверную память DDR5 RDIMM со структурой 4F² до конца 2026 года. [ 2 , 3 , 4 ]
- Технический директор Samsung Сон Джэхёк (송재혁) сообщил 14 октября, что Samsung разрабатывает технологию 4F². [ 25 , 26 ]
- Структура 4F² уменьшает площадь ячейки памяти по сравнению с широко используемой конструкцией 6F². [ 1 , 4 , 14 ]
- CXMT не раскрыла подробные характеристики, дату выпуска или масштабы массового производства. [ 14 ]
Подтверждено несколькими источниками
Пока неясно
- Сможет ли CXMT добиться стабильного массового производства и обещанной производительности. Компания не раскрыла подробные характеристики или масштабы производства, и отраслевые наблюдатели отмечают, что выход годных изделий и надёжность ещё предстоит оценить.
- Точный день объявления CXMT о своих планах в Шанхае. Несколько публикаций указывают 10 октября, тогда как AI Times указывает 9 октября.